7月11日音书，国学问产权局信息透露，豪威集成电路（集团）股份有限公司肯求项名为“种中压屏蔽栅功率器件领土及器件”的利，授权公告号CN224481972U，授权公告日为2026年7月10日。肯求号为CN202521738001.6驻马店隔热条设备厂家，肯求公布日历为2026年7月10日，肯求日历为2025年8月14日，发明东谈主薛华瑞、阮孟波、董建新、诸舜杰，利代理机构圳睿臻学问产权代理事务所（粗俗伙），利代理师张海燕，分类号H10D89/10、H10D84/83、H10D62/17、H10D30/60。
利纲领透露，本肯求提供了种中压屏蔽栅功率器件领土及器件，通过化栅搏斗孔流畅式，所述栅搏斗孔区场地的所述沟槽相隔建立，即栅多晶硅赶走流畅栅搏斗孔，通过本肯求的安全职责区SOA能大要提高数倍，不错凭据所需的安全职责区SOA能，聘请所述栅搏斗孔区场地的所述沟槽相隔几个沟槽；另外也不需要加多掩膜版，隔热条设备成本上有定势。
天眼查数据透露驻马店隔热条设备厂家，豪威集成电路（集团）股份有限公司开辟日历2007年5月15日，法定代表东谈主文宝，所属行业为计较机、通讯和其他电子设备制造业，企业界限为大型，注册成本121442.6982万东谈主民币，实缴成本126107.4075万东谈主民币，注册地址为（上海）解放交易检修区龙东大路3000号1幢C楼7层。豪威集成电路（集团）股份有限公司共对外投资了47企业，参与招投标名堂11次，财产陈迹面有信息63条，利信息221条，领有行政许可18个。
豪威集成电路（集团）股份有限公司近期利情况如下：
序号利称呼利类型法律景况肯求号肯求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东谈主1种新式分裂栅功率MOSFET器件的制备法及器件发明利推行审查的生、公布CN202610230022.X2026-02-26CN122054628A2026-05-15党晓军、董建新、衷世雄2种双向低容纵向结构SCR特瞬态电压扼制器件发明利推行审查的生、公布CN202610189569.X2026-02-10CN122028508A2026-05-12李登辉、许成宗、刘岚莘3种双向低容纵向NPN特瞬态电压扼制器件发明利推行审查的生、公布CN202610161837.72026-02-04CN122094185A2026-05-26李登辉、许成宗、刘岚莘、韩业星4种纵向低容压单向TVS器件的制造法及器件发明利推行审查的生、公布CN202610097861.92026-01-24CN122094184A2026-05-26刘凯哲、顾起帆、蔡燕楠、许成宗5种可调斜率的电源自动化测试法发明利推行审查的生、公布CN202512037465.52025-12-31CN122043299A2026-05-15张潇、刘热潮6种低电容瞬态扼制保护器件发明利公布CN202511805721.42025-12-03CN121665687A2026-03-13韩业星、许成宗7种功率MOSFET宽SOA结构制备工艺及芯片发明利推行审查的生、公布CN202511157153.12025-08-19CN121013371A2025-11-25曹培明、董建新8种用于化SOA的屏蔽栅功率MOSFET领土及MOSFET实用新式授权CN202521738033.62025-08-14CN224419175U2026-06-26薛华瑞、董建新、阮孟波、曹康妮9种功率MOSFET宽SOA结构领土及MOSFET实用新式授权CN202521738236.52025-08-14CN224419176U2026-06-26曹培明、衷世雄10种中压屏蔽栅功率器件领土及器件实用新式授权CN202521738001.62025-08-14CN224481972U2026-07-10薛华瑞、阮孟波、董建新、诸舜杰11种具有元胞温度检测的功率芯片制备工艺及领土发明利公布CN202511112814.92025-08-09CN120957433A2025-11-14镇东、诸舜杰、杨慧玲、薛华瑞12种瞬态电压扼制保护器件发明利推行审查的生、公布CN202510702590.02025-05-28CN120659394A2025-09-16李登辉、许成宗、刘凯哲13种芯片并联封装法及并联封装结构发明利推行审查的生、公布CN202510642104.02025-05-19CN120613271A2025-09-09镇东、门淑芳14种MOS芯片并联封装结构实用新式授权CN202520986841.82025-05-19CN224343676U2026-06-09健伊、门淑芳15种芯片封装结构实用新式授权CN202520843790.32025-04-28CN224343773U2026-06-09诸舜杰、董建新16种单向低容瞬态电压扼制保护器件发明利推行审查的生、推行审查的生、公布CN202510540948.42025-04-27CN120152387A2025-06-13李登辉、许成宗、刘凯哲17种功率MOSFET领土及MOSFET发明利推行审查的生、公布CN202510420186.42025-04-03CN120264855A2025-07-04薛华瑞、董建新18种功率MOSFET领土及MOSFET实用新式授权CN202520632927.02025-04-03CN224007006U2026-03-17薛华瑞、董建新19种中压屏蔽栅功率MOSFET领土及MOSFET发明利推行审查的生、推行审查的生、公布CN202510271360.32025-03-08CN120091616A2025-06-03薛华瑞、阮孟波20种中压屏蔽栅功率MOSFET领土及MOSFET实用新式授权CN202520406177.52025-03-08CN224007000U2026-03-17薛华瑞、阮孟波21种IGBT制备法及IGBT器件发明利推行审查的生、推行审查的生、公布CN202510261571.92025-03-06CN120111910A2025-06-06张峰、董建新22种浮空注入型功率MOSFET器件实用新式授权CN202520332356.92025-02-27CN224006999U2026-03-17党晓军、董建新、衷世雄23种安全职责区MOSFET器件的制备法及器件发明利推行审查的生、公布CN202510205431.X2025-02-24CN120129297A2025-06-10薛华瑞、董建新24种屏蔽栅沟槽MOSFET领土及器件实用新式授权CN202520197353.92025-02-08CN224006998U2026-03-17薛华瑞、董建新25种MOSFET领土及MOSFET器件实用新式授权CN202520197895.62025-02-08CN224083958U2026-04-03党晓军、董建新、衷世雄26电流感测放大器发明利公布CN202510123203.82025-01-26CN121814040A2026-04-07木村宏之27电流感测放大器发明利公布CN202510123387.82025-01-26CN121814041A2026-04-07木村宏之28种MOSFET领土及MOSFET器件实用新式授权CN202520153818.02025-01-22CN224006997U2026-03-17曹培明、衷世雄、董建新29种共漏双MOSFET器件实用新式授权CN202423222814.82024-12-25CN223772423U2026-01-06诸舜杰、董建新30共漏双MOSFET器件的制备工艺及共漏双MOSFET器件发明利授权CN202411921564.92024-12-25CN119815857B2026-01-06诸舜杰、董建新31种半体封装结构实用新式授权CN202422815330.82024-11-18CN223513965U2025-11-04吴旸、俞江彬、周万建、姚力32种芯片封装结构实用新式授权CN202422467982.72024-10-11CN223308991U2025-09-05陈泽洋、俞江彬、周万建33种IGBT制备法及IGBT器件发明利公布CN202411155855.12024-08-22CN118841323A2024-10-25张峰、诸舜杰34输出电路发明利推行审查的生、公布CN202411126829.62024-08-16CN121012487A2025-11-25石田学35电压搬动器发明利公布CN202411126827.72024-08-16CN121028940A2025-11-28石田学36半体集成电路发明利公布CN202411126626.72024-08-16CN121055790A2025-12-02相浦正巳37种中压屏蔽栅功率MOSFET领土实用新式授权CN202421990059.52024-08-15CN223108363U2025-07-15薛华瑞、董建新38负载初始电路发明利公布CN202411091349.02024-08-09CN121012328A2025-11-25木村宏之39桥接电路发明利公布CN202411091133.42024-08-09CN121012492A2025-11-25相浦正巳40种带保障丝芯片封装结构实用新式授权CN202421896262.62024-08-06CN223092890U2025-07-11李登辉、陈泽洋、黄智、赵金龙41种保握电流瞬态电压扼制器件实用新式授权CN202421650230.82024-07-11CN223110415U2025-07-15李登辉、许成宗42种SiCMOSFET器件的制备法及SiCMOSFET器件发明利推行审查的生、公布CN202410803538.X2024-06-20CN121218661A2025-12-26付霄荧、衷世雄、钟添宾43种MOSFET领土及MOSFET器件实用新式授权CN202421403433.72024-06-18CN222776520U2025-04-18党晓军、董建新、衷世雄、陈嘉聪44种功率MOSFET制备法及功率MOSFET发明利推行审查的生、公布CN202410787966.82024-06-18CN121174540A2025-12-19党晓军、董建新、衷世雄45种路线开启屏蔽栅MOSFET的制备法及路线开启屏蔽栅MOSFET发明利推行审查的生、公布CN202410717885.02024-06-04CN118610258A2024-09-06党晓军、董建新、衷世雄46种功率器件的制备法及功率器件发明利推行审查的生、公布CN202410710543.62024-06-03CN118486596A2024-08-13党晓军、董建新、衷世雄47种宽安全职责分离裂栅器件的制备法及宽安全职责分离裂栅器件发明利推行审查的生、公布CN202410691737.62024-05-30CN118658784A2024-09-17党晓军、包武48种双向低容NPN特瞬态电压扼制器件及封装结构发明利推行审查的生、公布CN202410691736.12024-05-30CN118658892A2024-09-17李登辉、许成宗、顾起帆、蔡燕楠49种屏蔽栅功率器件的制备法及屏蔽栅功率器件发明利推行审查的生、公布CN202410674167.X2024-05-28CN118538610A2024-08-23党晓军、董建新、衷世雄50种MOS芯片封装结构实用新式授权CN202421196596.22024-05-28CN222581167U2025-03-07陈泽洋、俞江彬、周万建手机：18631662662（同微信号）相关词条:玻璃棉毡 塑料挤出机 预应力钢绞线 铁皮保温 万能胶生产厂家
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